RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2508
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link