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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Puntuación global
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Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 12.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 6.4
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 37
    En -37% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 12.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 6.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2395 left arrow 1732

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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Memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Memoria RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Memoria RAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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Memoria RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Memoria RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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