RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
12.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1732
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link