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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Puntuación global
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Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 13.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 6.5
    Valor medio en las pruebas
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 37
    En -54% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 13.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 6.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2395 left arrow 1983

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
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Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Memoria RAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Memoria RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Memoria RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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Memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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