RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1983
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT8G3D21BCT1.16FN 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link