RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
92
En -179% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2383
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link