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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
92
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
35
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3371
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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