RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
92
En -384% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3066
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link