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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Differenze
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
92
Intorno -384% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
19
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3066
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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