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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
92
En -207% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3372
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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