RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Compara
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
45
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
45
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2075
2841
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link