RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
36
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
4015
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link