RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
44
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
44
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
1660
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link