RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
44
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
44
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
1660
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
UMAX Technology 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link