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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

总分
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

总分
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB 需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 44
    左右 18% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 5.6
    测试中的平均数值
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 44
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 8.5
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 5.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2292 left arrow 1660

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较

Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 9905713-001.A00G 4GB
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内存RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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