RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
61
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,835.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
606
3020
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link