Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Pontuação geral
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 16.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,077.3 left arrow 13.1
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    34 left arrow 61
    Por volta de -79% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 6400
    Por volta de 3.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    61 left arrow 34
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,835.2 left arrow 16.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,077.3 left arrow 13.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    606 left arrow 3020
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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