RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
61
Autour de -79% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
3020
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link