RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Puntuación global
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
61
77
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
2,077.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
77
Velocidad de lectura, GB/s
3,835.2
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
606
1549
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link