RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
77
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,077.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
77
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
1549
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link