RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
54
En -184% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.9
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
17.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
3862
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link