RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
54
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
17.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3862
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link