RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
54
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2855
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link