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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
54
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
1,308.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
26
Velocità di lettura, GB/s
3,573.5
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,308.1
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
371
2855
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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