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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2617
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
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