RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
60
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
60
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2687
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link