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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
54
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2226
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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