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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Compara
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
42
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1578
3033
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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