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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
比较
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
总分
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
总分
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
42
读取速度,GB/s
11.7
15.7
写入速度,GB/s
8.4
13.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1578
3033
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C4DHX 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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