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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
72
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,938.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,938.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
677
2773
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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