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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
72
左右 -106% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
35
读取速度,GB/s
4,241.0
15.2
写入速度,GB/s
1,938.7
10.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2773
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Mushkin 994083 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Jinyu 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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