RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
72
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2773
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link