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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
64
En -167% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2925
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
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