RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
64
Около -167% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2925
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link