RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2925
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link