RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
64
En -42% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
45
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2925
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link