RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
64
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2925
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link