RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3938
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link