RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
18.2
Скорость записи, Гб/сек
6.0
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3938
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link