RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
42
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
18
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3421
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link