RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3036
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link