RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.7
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
42
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
39
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
1768
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link