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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
45
En -2% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
45
44
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2079
2069
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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