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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
45
左右 -2% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
44
读取速度,GB/s
13.0
13.0
写入速度,GB/s
9.0
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2079
2069
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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