RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3081
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link