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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
71
En -145% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
22.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3792
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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