RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3792
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link