Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 71
    Wokół strony -145% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    22.8 left arrow 2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    16.9 left arrow 1,322.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 5300
    Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    71 left arrow 29
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,831.6 left arrow 22.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,322.6 left arrow 16.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    399 left arrow 3792
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania