RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
71
En -238% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
21
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2814
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link