RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
71
Por volta de -238% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
21
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2814
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link