RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
71
Autour de -238% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
21
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2814
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link